La memoria HBM3E 12H di Samsung offre la più alta capacità HBM del settore con un innovativo array a 12 strati, aumentando prestazioni e capacità di oltre il 50%.
La tecnologia avanzata TC NCF migliora la densità verticale e le proprietà termiche.
Samsung è pronta a soddisfare la domanda di soluzioni ad alte prestazioni e ad alta capacità nell’era dell’intelligenza artificiale.
Samsung Electronics Co., Ltd., leader globale nella tecnologia avanzata delle memorie, ha annunciato oggi di aver sviluppato HBM3E 12H, la prima DRAM HBM3E da 12 pack del settore e il prodotto HBM con la capacità più elevata mai realizzato fino ad oggi.
Il Samsung HBM3E 12H offre una larghezza di banda senza precedenti fino a 1.280 gigabit al secondo (GB/s) e una capacità leader del settore di 36 gigabyte (GB). Rispetto all'HBM3 8H a 8 celle, entrambi gli aspetti sono migliorati di oltre il 50%.
“I fornitori di servizi AI nel settore richiedono sempre più HBM di capacità maggiore e il nostro nuovo HBM3E 12H è progettato per rispondere a questa esigenza”, ha affermato Young Chul Bae, Vicepresidente esecutivo della pianificazione dei prodotti di memoria presso Samsung Electronics. “Questa nuova soluzione di memoria fa parte dei nostri sforzi per sviluppare tecnologie chiave per HBM high-stack (Mucchio alto) e garantire la leadership tecnologica del mercato HBM ad alta capacità nell'era dell'intelligenza artificiale.
L'HBM3E 12H utilizza un film di compressione termica non conduttivo avanzato (TC NCF), consentendo ai prodotti a 12 strati di avere le stesse specifiche di altezza dei prodotti a 8 strati per soddisfare gli attuali requisiti dei contenitori HBM. Si prevede che questa tecnologia apporterà ulteriori vantaggi, soprattutto con pile più lunghe, poiché l’industria cerca di ridurre la deformazione dei cuscinetti, una caratteristica dei cuscinetti più sottili. Samsung ha ridotto lo spessore del suo materiale NCF e ha raggiunto il più piccolo spazio tra i chip del settore, pari a sette micrometri (μm), eliminando al tempo stesso gli spazi tra gli strati. Questi sforzi si traducono in un miglioramento della densità verticale di oltre il 20% rispetto all'HBM3 8H.
L'avanzata tecnologia TC NCF di Samsung migliora inoltre le proprietà termiche dell'HBM consentendo l'uso di protuberanze di diverse dimensioni tra i chip. Durante il processo di incollaggio del chip, vengono utilizzate sporgenze più piccole nelle aree del segnale e più grandi nei punti in cui è richiesta la dissipazione del calore. Questo metodo aiuta anche ad aumentare le prestazioni del prodotto.
Con la crescita esponenziale delle applicazioni AI, si prevede che HBM3E 12H sarà la soluzione ideale per i sistemi futuri che richiedono più memoria. Le sue elevate prestazioni e capacità consentiranno ai clienti di gestire le proprie risorse in modo più flessibile e di ridurre il costo totale di proprietà (TCO) dei data center. Se utilizzato in applicazioni IA, si stima che rispetto a HBM3 8H, la velocità media di addestramento dell'IA aumenterà del 34%, mentre il numero di utenti simultanei dei servizi di inferenza potrebbe aumentare di oltre 11,5 volte..[1]
Samsung ha iniziato a offrire campioni dell'HBM3E 12H ai clienti e ne è prevista la produzione in serie nella prima metà di quest'anno.
[1] Basato sui risultati della simulazione interna
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